System 80Plus开放式样品载入等离子体刻蚀与沉积设备

System 80Plus开放式样品载入等离子体刻蚀与沉积设备

该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 System800Plus具有最大的工艺灵活性,用于化合物半导体,光电子器件,光子器件及应用,可配置进行电感耦合等离子体法(ICP)刻蚀和沉积(ICP-PECVD) ,反应离子刻蚀(RIE) ,等离子体刻蚀(PE)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

开放式的样品载入可快速进样取样,是理想的原型研究和少量生产的设备。

工艺:

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有关我们的工艺性能数据的细节,请与我们联系,例如:
  • 用于MEMS、微流体、Si波导等的低温Si刻蚀和深度Si刻蚀
  • SiO2, SiNx, 无NH3 SiNx沉积,用于硬膜、钝化等
  • III - V族光电子器件的刻蚀
  • SiO2 和 SiNx的低温等离子体化学气相沉积
  • 图片
  • 工艺技术
  • 支持
80 RIE closed Plasmalab80Plus-RIE-plasma-etch-tool-detail  Plasmalab80Plus ICP65 - 3  Plasmalab80Plus ICP65 - wafer load_large
  • 反应离子刻蚀 (RIE)
  • 等离子体增强型反应离子刻蚀 (RIE-PE)
  • 等离子体增强化学气相沉积 ( PECVD)
  • 电感耦合等离子刻蚀( ICP )


我们的工作与我们的客户密切结合,以开发新的和根据客户应用需要而定制的工艺;请与我们联系以了解详细信息。


support image牛津仪器致力于支持我们客户的成功。 我们认识到,这需要世界一流的产品辅以世界一流的支持。 我们的全球服务在各地分部的支持下,可为你在世界任何地方提供快速支持。

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  • 全方位的培训课程
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