用于PVD的System 400磁控溅射设备

用于PVD的System 400磁控溅射设备

能够同时处理8片50，75或100毫米（2，3或4英寸），或4片150或200毫米（ 6或8英寸）晶片

一系列的晶片托放办法：

• 单晶片真空进样室
• 盒式载入
• 多个盒对盒通过机器人传送晶片
• 紧密连接的工具可避免氧化和微粒污染，因为晶片没有接触到空气。它还提高了产量和吞吐量，因为它降低了接触损伤和传输次数。 磁控溅射的System400系统可与其他牛津仪器的工艺系统集成，例如：
  o 刻蚀工艺-RIE或ICP（ PlasmalabSystem100 ， PlasmalabSystem133 ）
  o 沉积-PECVD，ICP-CVD（ PlasmalabSystem100 ， PlasmalabSystem133 ）或原子层沉积（ALD） （ FlexAL ® ）

广泛的适用材料范围

• 可溅射金属和氧化物薄膜，厚度从20纳米到几微米
• 适用于溅射从Al到Zr的全部金属
• 灵活的工艺和材料使得晶片托盘适用的温度范围很宽，可达300 ℃，采用水冷和加热
• 射频偏置使等离子辅助沉积的温度更低，粘附性更大和衬底材料的选择更加灵活
• 一个反应室里的一次工艺中可沉积多种材料
• System400可配置4 × 200毫米或6 × 100毫米的射频和/或直流磁控管。反应室分为4个或6分室，使用的源互相隔绝，降低了使用多个反应室的高昂成本
• 多层工艺由PC2000TM软件编程自动运行，其具有直观的图形界面和灵活的用户选项

• 图片
• 工艺均一性
• 合格的硬件
• 支持

最佳工艺均一性和稳定性

 

• 晶片可在静态或旋转模式下处理
• 可安装均匀罩以进一步加强一致性，或在高速工艺下拆除
• 射频偏置提供等离子体预清洗
• 真空进样室使晶片微粒污染最小化
• 如对湿度湿度敏感可使用冷泵
• 典型的工艺均一性

o ± 3 ％ （ 100毫米）
o ± 4 ％ （ 125毫米）
o ± 5 ％ （ 150毫米）

该System400基于与牛津仪器的 PlasmalabSystem100和PlasmalabSystem133等离子刻蚀与沉积设备相同的硬件平台，其可靠性已经过全世界各地数百次安装确认。

全球服务和支持

我们可以提供：

• 量身定制工的艺和服务协议，以满足您的需求
• 全方位的培训课程
• 快速获取原装备件和配件
• 系统升级和翻修