System 133 - 300毫米大批量等离子体刻蚀与沉积设备

该System133工艺设备具有300毫米大尺寸和大批量刻蚀和沉积能力，配置灵活，能进行ICP、RIE、PECVD和ICP-PECVD（HD-PECVD）工艺，可用于多种材料和器件。

产品优点

300mm单晶片处理能力，业界领先的批处理能力：20 x 2" , 8 x 3" , 4 x 4"
选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。该PlasmalabSystem133可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送.
使用一系列的电极控制衬底温度，其温度范围为-150 ° C至700° C
利用激光干涉和/或光发射谱的终点检测可安装在PlasmalabSystem133中以加强刻蚀控制
可选的4、8或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备

工艺
有关300mm和大批量应用的工艺细节请与我们联系，例如：

电感耦合等离子体刻蚀（ ICP）

我们的工作与我们的客户密切结合，以开发新的和根据客户应用需要而定制的工艺;请与我们联系以了解详细信息。

牛津仪器致力于支持我们客户的成功。我们认识到，这需要世界一流的产品辅以世界一流的支持。我们的全球服务在各地分部的支持下，可为你在世界任何地方提供快速支持。

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