System 100Pro -单晶片加工的生产设备
System100Pro ICP PECVD
该System100Pro设备已经具有200毫米单晶片生产能力，拥有优良的均匀性和高生产量，应用广泛。
主要特点
- 可处理8英寸晶片，也具有小批量（ 6 × 2 英寸）预制和试生产的能力
- 反应室采用真空进样室进样单晶片。
- 使用一系列的电极控制衬底温度，其温度范围为-150 ° C至700摄氏度
- 利用激光干涉和/或光发射谱的终点检测可安装在PlasmalabSystem100Pro中以加强刻蚀控制
- 可选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备
- 图片
- 工艺控制
- 工艺技术
- 晶片处理
- 支持
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- 光学发射光谱（OES）监控大晶片面积和批处理过程的终点：
- OES检测刻蚀副产品的变化或反应气体的消耗
- 预测反应室清洁终点
- 集成PC2000TM软件
- 激光终点检测（LEPD）也可用于隔层刻蚀或可使用掩膜的情况，又或者沉积监测
- 反应离子刻蚀 （刻蚀）
- 电感耦合等离子刻蚀法（ ICP ）
- 等离子体增强化学气相沉积 （ PECVD法）
- 电感耦合等离子体化学气相沉积 （等离子体化学气相沉积）
我们的工作与我们的客户密切结合，以开发新的和根据客户应用需要而定制的工艺;请与我们联系以了解详细信息。
- 200毫米大面积单晶片加工
- 50毫米（2 "）至100毫米（4 "）多晶片批处理，包括多托盘的盒式载入
- 盒到盒传输，包括在必要时所有的晶片跟踪及单个晶片工艺控制
- 六边形或方形机器人操作，同时MESC兼容性可进一步增加第三方模块
- 电子夹头和/或机械夹紧选择，与He晶片背面冷却
- 温度范围广（底电极）： -150 ° C至400 ° C或700 ° C
牛津仪器致力于支持我们客户的成功。 我们认识到，这需要世界一流的产品辅以世界一流的支持。 我们的全球服务在各地分部的支持下，可为你在世界任何地方提供快速支持。
全球服务和支持
我们可以提供：
• 量身定制工的艺和服务协议，以满足您的需求
• 全方位的培训课程
• 快速获取原装备件和配件
• 系统升级和翻修
