System 100 -等离子刻蚀与沉积设备

System100 – 等离子刻蚀 & 沉积设备

• 可处理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）预制和试生产的能力
• 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-150 ° C至700° C
• 用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制
• 选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备

工艺
一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子：

• 低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术
• 用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）
•  GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，比如HBLED和其它功率器件的刻蚀
• 高品质，高速率SiO2沉积，应用于光子器件
• 金属（Nb, W）刻蚀

• 图片
• 工艺技术
• 支持

• 电感耦合等离子体刻蚀 （ ICP）
• 电感耦合等离子体化学气相沉积 （ICP PECVD）
• 等离子体增强化学气相沉积 （ PECVD）
• 反应离子刻蚀 （刻蚀）

PECVD工具：

主要特点：

• 13.56MHz驱动平行板反应器
• 千赫兹和"混频"选项
• 优化的PECVD莲蓬头式气体入口
• 400 ° C和700 ° C底电极

RIE工具：

主要特点：

• 13.56兆赫驱动平行板反应器
• 可制冷的下电极
• 优化的RIE莲蓬头式气体入口
• 高电导真空布局

牛津仪器致力于支持我们客户的成功。 我们认识到，这需要世界一流的产品辅以世界一流的支持。 我们的全球服务在各地分部的支持下，可为你在世界任何地方提供快速支持。

全球服务和支持

我们可以提供：

• 量身定制工的艺和服务协议，以满足您的需求
• 全方位的培训课程
• 快速获取原装备件和配件
• 系统升级和翻修