PlasmaProTM System133－量产用的晶片批量处理设备
PlasmaPro System133量产设备
PlasmaPro System133最大可以处理300mm的晶片并具有大规模批处理能力，适合于各种对均匀性及产量要求高的应用领域。
应用及工艺技术
请联系我们索取有关300mm晶片及大批量处理等工艺技术的详细资料，例如：
- 高亮度发光二极管（HBLED）业界领先的大规模生产能力：
o GaN, AlGaN 及相关材料
o 蓝宝石及SiC的衬底刻蚀 - 300mm晶片上SiO2、SiNx的沉积工艺
- 类金刚石 (DLC)的沉积及刻蚀工艺
- 等离子体化学气相沉积（PECVD）刻蚀工艺
- 图片
- 工艺控制
- 工艺技术
- 晶片操作
- 支持
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大面积及批量处理工艺中是光学发射光谱仪（OES）进行终端检测：
- OES可以用于刻蚀工艺中副产物、反应气体消耗的检测
- 处理室预清洁的终端检测
- 配合PC2000TM 工艺处理软件使用
- 激光终端检测(LEPD)可以应用于全刻蚀（blanket etching）或掩模板刻蚀或沉积工艺中
PlasmaPro System133工艺技术
- 感应耦合等离子体(ICP)
- 感应耦合等离子体化学气相沉积(ICP CVD)
- 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
- 反应离子刻蚀(RIE)
PlasmaPro System133量产晶片处理
- 支持处理最大直径300mm的单个或盒装的晶片
- 可以同时处理尺寸为2", 3" 及4"的晶片，包括使用装样盒或载样盘
- 可以对整盒处理中全部或单个的晶片进行跟踪及工艺控制
- 六边形或方形的机械夹持装置兼容MESC标准，为安装第三方的模块提供便利
- 电子或机械夹持装置带有背面氦气冷却功能
- 衬底电极温度控制范围广：-150°C到400°C或700°C
牛津仪器致力于支持我们客户的成功。 我们认识到，这需要世界一流的产品辅以世界一流的支持。 我们的全球服务在各地分部的支持下，可为你在世界任何地方提供快速支持。
全球服务和支持
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欧洲和中东 Montevrain,法国 美国 Arizona, 美国 |
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亚洲 Shanghai, China 欧洲，中东，非洲 Bristol，英国 美国 Concord, MA, 美国 |
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