PlasmaProTM NGP80 – 下一代等离子体处理系统
多重处理技术
PlasmaPro NGP80在同一个平台上提供了通用的等离子体刻蚀和沉积技术解决方案，并且带有便利的开放式进样装置。系统集合了微足印（smallfootprint）技术，可方便地进行定位及使用，且不会对工艺质量产生不良影响。
该设备是研发或小规模量产的理想工具，可处理从小块样品到直径200mm的晶片。开放式进样设计使晶片可以快速进片及退片，适合研究、原型开发及小量生产。
PlasmaPro NGP80的优势：
• 兼容Semi S2/S8安全标准
• 关键组建方便装卸有利于维护
• 最新一代的总线控制系统可以极大地提升数据的检索、传送、重复匹配能力
• 新的增强用户界面
• 利用前端软件的错误及工具诊断功能实现快速的错误诊断
• 自动的清洗功能可以清除管道内的有毒物质并对管道进行冲洗，通过前端软件实现安全且完全的自锁清洗控制
工艺技术配置选项：
• PlasmaPro NGP80 RIE
• PlasmaPro NGP80 PECVD
• PlasmaPro NGP80 RIE/PE
- 应用
- 系统优势
- 软件
- CoO
- 支持
- III-V族化合物刻蚀工艺
- 硅多层刻蚀（Bosch）及低温刻蚀工艺
- 类金刚石(DLC)沉积工艺
- 二氧化硅和石英刻蚀工艺
- 可以进行失效分析用的干式等离子体刻蚀，这需要使用到PlasmaPro NGP FA的工具，包括了RIE、双模式RIE/PE及ICP工艺，处理的进片范围包括批量的芯片及直径200mm的晶片的模板刻蚀
- 高品质的PECVD处理技术，可以处理氮化硅、二氧化硅等光子、电解质、钝化层等应用
- 硬掩模沉积及高亮度LED产品的刻蚀
- PlasmaPro NGP80优化的电极冷却技术可提供出色的工艺控制，晶片的温度均匀性、扩展性覆盖了多个处理工艺。
- 由于使用了高传导率的径向（轴对称）泵设置，使工艺的均匀性及速率都得到保证
- 电容值数据纪录间隔小于500ms，使处理室及工艺过程可以被准确追踪
- 刚性连接的涡沦泵具有足够高的抽速并可保证工艺所需的气压
工艺控制－刻蚀终端检测
使用可选的终端探测器（配备PC4000TM工艺工具软件），可以实现出色的刻蚀控制及速率检测。
- 激光终端检测是使用干涉仪对可反光衬底上的透光材料（例如硅基底上的氧化物）的刻蚀深度，或者使用反射计对非透光材料（例如金属）检测薄膜边界
- 光学发射光谱仪(OES)用于大面积或批量处理的终端检测，检测刻蚀副产品或反应气体的消耗，或者处理室的处理终端
气体控制系统
标准的气体管道使用户可以最大限度地利用PlasmaPro NGP80系统。远程管道旁路使用户可以更灵活地使用。
PlasmaPro NGP80包括了全新改善用户界面的实验及测试软件。牛津仪器的软件是以清晰易用闻名的，可以快速地培训工艺操作员或全面培训实验室管理人员及维护人员。
- 前端的可视化界面可以正确地对客户系统进行配置，以控制、监视处理工具
- 预设的工艺参数可以通过软件在数据库中进行写入、存储、读出
- 口令控制机制可以使用户有不同的权限，从最低的"一键"运行控制到全功能控制等不同的权限
- 连续的系统数据纪录（间隔小于500ms）保证准确跟踪每个晶片的处理过程
- 完全兼容GEM/SECS标准
我们从客户的立场开展我们的工作，开发真正满足客户需求的系统、工艺以及支持方案，因此我们的服务协议（SLA）均是根据客户需要而专门定制的。其中包括：
- 保证回访周期以及技术支持热线服务
- 技术支持覆盖率提高到24/7
- 预定的维护呼叫
- 通过我们遍布世界各地的分支机构，管理详细的选件备份，包括客户的专门库存
- 备件优惠政策
- 工艺技术培训
- 为客户工程师提供认证的维护培训课程，把问题防患于未燃
全球服务和支持
我们可以提供：
- 量身定制工的艺和服务协议，以满足您的需求
- 全方位的培训课程
- 快速获取原装备件和配件
- 系统升级和翻修
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