OpAL ® -开放式样品载入ALD设备-开放式样品载入原子层沉积设备
紧凑型开放式样品载入原子层沉积（ALD）系统
OpAL提供了独一无二的热ALD设备，可以简单明了的升级使用等离子体，使得在同一紧凑设备中集成了等离子体和热ALD。
- 开放式样品载入热ALD，集成等离子体技术
- 现场升级到可使用等离子体
- 从小晶片到200mm大晶片
适用于学术、产业、研发的热和/或等离子体化学产品，可用于：
氧化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
氮化物：TiN, Si3N4
金属： Ru, Pt
ALD应用举例：
- 纳米电子学
- 高k栅极氧化物
- 存储电容器绝缘层-铜连线间的高纵横比扩散势垒区
- 有机发光二极管和聚合物的无针孔钝化层
- 钝化晶体硅太阳能电池
- 应用于微流体和MEMS的高保形涂层
- 纳米孔结构的涂层
- 生物微机电系统
- 燃料电池
直观性强的的软件提高性能
使用与牛津仪器的值得信赖的Plasmalab ®产品家族相同的软件平台， OpAL的程序驱动、多用户级别、PC2000TM控制的软件易于操作且可为快速ALD做相应修改。
- 图片
- 优点
- 工艺保障
- 特征
- 支持
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- 气体做源载体，多达四个液体或固体源
- 可与氮气手套箱配备并使用真空进样室进样以保持干燥环境
- 易分离衬垫，减少反应室清洗次数
- 与ALD控制软件相连接的分光椭偏仪进行原位监控
牛津仪器公司的客户受将得到我们的工艺保证：我们自己的应用实验室里确保可控的，可重复的工艺开发，并到客户现场进行工艺支持。
- 200毫米晶片典型均匀性误差< ± 2 ％
- 即使在高纵横比结构下，仍提供完美的阶梯形状
- 提供一流的薄膜隔离性能
- 低碳污染的Al2O3（AES）
- 非晶，无孔Al2O3（TEM）
- HfO2的优良的均一性，200毫米晶片均匀性误差< ± 2 ％（椭偏光谱）
- 200毫米晶片典型均匀性误差< ± 2
- 即使在高纵横比结构下，仍提供完美的阶梯形状
- 提供一流的Al2O3薄膜（ AES）
- 非晶，无孔Al2O3（TEM）
- HfO2的优良的均一性，200毫米晶片均匀性误差《 ± 2 ％（椭偏光谱）
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Feature 特征 |
OpAL™ |
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基板 |
200mm大晶片及块件直接放在台上 |
200mm晶片和块件放在传送盘上 |
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鼓泡液体及固体源 |
3 种 |
4 种 |
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源最高温度 |
200ºC (护罩) |
200 ℃ （炉及护罩） |
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晶片传送(inc source pot) |
包括 |
包括 |
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快速传送系统的质量流量控制; |
2个在内部 最多8个外置 |
最多10个外置 |
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等离子体 |
可选/现场升级 |
可选 |
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样品载入 |
开放式载入 |
真空进样室或者盒装进样 |
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与其他工艺单元集成 |
否 |
是-加第三方MESC模块做特别部件 |
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晶片温度范围 |
25ºC – 400ºC |
25ºC – 400ºC (550ºC 可选) |
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椭偏仪接口 |
有 |
有 |
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Swagelok 10ms快速脉冲ALD 阀门 |
有 |
有 |
安全特性：
- 面柜里可以额外安装线路，并有氮气吹扫以保持健康和安全
- 气动绞链安全开腔
- 可安装提取外罩或氮气吹扫的手套箱以保证健康和安全
牛津仪器致力于支持我们客户的成功。 我们认识到，这需要世界一流的产品辅以世界一流的支持。 我们的全球服务在各地分部的支持下，可为你在世界任何地方提供快速支持。全球服务和支持
我们可以提供：
- 量身定制工的艺和服务协议，以满足您的需求
- 全方位的培训课程
- 快速获取原装备件和配件
- 系统升级和翻修
