Nanofab 800Agile ™ -纳米生长设备
Nanofab- 纳米尺度结构生长系统
- 从小尺寸的样品到200mm的晶片都可以处理
- 可以进行等离子体增强化学气相沉积（PECVD）薄膜生长
- 合成化合物半导体纳米线用的金属有机（MOCVD）前驱物输送系统
- 有序阵列生长及薄膜应力控制
- 优异的温度均匀性、扩展性、灵活控制
- 可以在高气压、高流速体系进行工艺处理
- 可选的液态源输送系统
真空进样使样品准备及工艺处理操可以独立操作
- 特点
- 工艺优势
- 电特性
- 热响应
- 支持
Nanofab800Agile设备工艺特点：
发展了现有设备，附加的磁场或电场可以影响纳米结构的生长。
发展了现有设备，附加的磁场或电场可以影响纳米结构的生长。
- 纳米管及纳米线的生长灵活可控，生长温度最高可以达800 °C
- 灵活的加热及冷却功能可使温度快速转变
- 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）－标准及高温沉积技术
- 高温电极
Nanofab系统工艺优势
- 纳米管及纳米线的可控生长
- 催化剂的等离子体预处理可改善生长条件
- 退火温度高达800 °C
- PECVD大面积薄膜沉积技术制备的薄膜具有非常好的均匀性、高的沉积速率以及薄膜特性（如折射率、应力、导电性及湿法刻蚀速率）可控
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纳米结构材料 |
C, Si, Ge, ZnO, Ga2O3, GaN, GaAs, GaP, InP, InN |
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PECVD沉积薄膜 |
SiO2, SiNx, a-Si, SiON, poly-Si, SiC |
高温能力: 高达 800°C
- 快速周期: 升温速度达 130°C/min
- 热均匀性 (< ±1%)
- 寿命长: 抗震材料
- 可更换的基座
- 独立的低接地电极
- 设计简单易操作
牛津仪器公司的技术的一个关键优势是使用低热量、防震的材料，能够提高功率密度。
使用我们的自行设计的基于PBN板的加热器，加热升温速率高达130 ℃ /分钟，而传统的烧结陶瓷仅有〜 15 ℃ /分钟。
使用我们的自行设计的基于PBN板的加热器，加热升温速率高达130 ℃ /分钟，而传统的烧结陶瓷仅有〜 15 ℃ /分钟。
牛津仪器致力于支持我们客户的成功。 我们认识到，这需要世界一流的产品辅以世界一流的支持。 我们的全球服务在各地分部的支持下，可为你在世界任何地方提供快速支持。
全球服务和支持
我们可以提供：
- 量身定制工的艺和服务协议，以满足您的需求
- 全方位的培训课程
- 快速获取原装备件和配件
- 系统升级和翻修
