Nanofab 700 ™ -纳米生长设备
Nanofab - 纳米尺度结构生长系统
- 从小尺寸的样品到200mm的晶片都可以处理
- 可以进行等离子体增强化学气相沉积（PECVD）薄膜生长
- 合成化合物半导体纳米线用的金属有机（MOCVD）前驱物输送系统
- 有序阵列生长及薄膜应力控制
- 优异的温度均匀性、扩展性、灵活控制
- 可以在高气压、高流速体系进行工艺处理
- 可选的液态源输送系统
- 真空进样使样品准备及工艺处理操可以独立操作
- 处理设备特点
- 工艺优势
- 支持
Nanofab700处理设备特点
- 纳米管及纳米线的生长灵活可控，生长温度最高可以达700 °C
- 可选的液态前驱物
- 使用等离子体对催化剂及处理室进行预处理清洁
- 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）－标准及高温沉积技术
- 进样技术
- 可以使用的处理气体种类广，包括氧气
Nanofab700的工艺优势
- 纳米管及纳米线的可控生长
- 催化剂的等离子体预处理可改善生长条件
- 退火温度高达700 °C
- PECVD大面积薄膜沉积技术制备的薄膜具有非常好的均匀性、高的沉积速率以及薄膜特性（如折射率、应力、导电性及湿法刻蚀速率）可控
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纳米结构材料 |
C, Si, Ge, ZnO, Ga2O3, GaN, GaAs, GaP, InP, InN |
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PECVD沉积薄膜 |
SiO2, SiNx, a-Si, SiON, poly-Si, SiC |
牛津仪器致力于支持我们客户的成功。 我们认识到，这需要世界一流的产品辅以世界一流的支持。 我们的全球服务在各地分部的支持下，可为你在世界任何地方提供快速支持。
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