Ionfab ® 300Plus离子束刻蚀及沉积设备
Ionfab ® 300Plus离子束刻蚀与沉积的工具
牛津仪器提供了一个设备，该设备有充分的灵活性进行刻蚀和/或沉积，并实现系统利用率最大化。
系统规格可根据应用进行调节，从而实现更快的和可重复的工艺结果。
牛津仪器离子束可实现多种模式功能：
- 离子束刻蚀（IBE）
- 反应离子束刻蚀（RIBE）
- 化学辅助离子束刻蚀（ CAIBE ）
- 离子束溅射沉积（ IBSD ）
- 离子辅助溅射沉积（ IASD ）
- 牛津仪器的系统可从研发工具升级为批量生产设备。
- 衬底处理
- 离子源
- 工艺控制
- 应用
- 图像
单一设备的灵活性
- 可处理从小样品，到100毫米（4英寸），直到200毫米（8英寸）的晶片
- 能夹住任何形状，设计独特的传输托盘
- 可选择的晶片传送办法
- 一次性手动载入
- 具有真空进样室，用于快速载入
- 批量生产的片盒到片盒装载/卸载
- 可与其他设备集成，包括牛津仪器的Plasmalab ®等离子刻蚀、沉积和溅射设备， FlexAL ®原子层沉积（ALD）设备
- 简单的升级选项以添加刻蚀和沉积源
领先的离子源和栅网技术
- 栅网特别设计，以适应具体应用：高均匀性，高速率，低能量
- 多靶的特定的沉积栅网设计，以有效利用靶材
- 可达35厘米的广泛的刻蚀源选择
- 双束配置（刻蚀加沉积源）可以在刻蚀后立刻沉积盖层，而不会使反应室或者晶片暴露在大气中
- 用刻蚀源作为等离子体基源（IASD）以提高沉积速率
- 单一设备的灵活性
可从-90 °到75 ° 倾斜的衬底支架（取决于配置）
可使用‘blazed'光栅
允许侧壁被清除掉或刻蚀
衬底角度控制，提高靶材沉积的均匀性 - 盘转速
变盘转速使沉积速率可根据具体应用来控制
可选择标准和高速盘 - 衬底冷却
防止衬底和设备结构的/在位的其他材料性能退化
可选择采用He（涡轮泵）或Ar（冷泵）进行晶片背面冷却 - 工艺监控
SIMS监测刻蚀终点，用于多种材料的应用
沉积过程监控
-晶振监控（单或双头）
-白光光学监控（ WLOM ）
通过RGA进行反应室气体鉴别，分压控制和检漏
典型的应用和材料：
- 红外探测器
- CdHgTe （CMT ）刻蚀
- 氧化钒沉积和刻蚀
- 金属接触和跟踪刻蚀
- 铜，镍，铝...
- 贵金属：金，铂，钯...
- 衍射光栅
- SiO2 '闪耀'刻蚀
- 自旋电子元件和的MRAM
- 激光棒的AR和HR涂层
- 电信滤波器
- III - V族光子刻蚀
- 薄膜磁性硬盘头（ TFMH ）
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