CrystalFlex ® -多晶片HVPE反应室
牛津仪器的具有领先优势的CrystalFlex HVPE设备为生产高质量的GaN，AlN的AlGaN单晶材料提供了一种有效的成本控制途径。
该设备专用于研发或全规模生产三族氮化物，其重点在于工艺的稳定性，重复性，和优化源材料的使用效率。 灵活的反应室的构造使得终端用户能够生长从GaN到AlN和AlGaN的各种产品，厚度从几微米到几毫米。
CrystalFlex HVPE应用：
- 可见光和紫外线LED
- 半导体激光器
- 射频电子器件
- 功率型电子器件
工艺改进：
- 专门的气体喷头设计以实现气流均一
- 大容量的源容器设计增加运行时间
- 热平稳区域更长以获得更好的厚度均匀性
- 由具有深入的HVPE工艺知识的科学家组成的经验丰富的团队提供工艺支持
HVPE工艺
HVPE生长的三族氮化物是基于二步法的热力学驱动的化学反应，该反应由金属源（Ga，Al，和In），HCl和NH3在温度1000-1100° C和大气压下进行。 它提供了一种简单和节省成本的方法来进行三族氮化物生长。
- 图片
- 系统优点
- 系统自动化
- 规格
- 支持
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主要特点和优点：
- 生长速度范围大，从1到200微米/小时
- GaN的厚度从几微米到几毫米
- n型和p型掺杂均可
- 晶片尺寸从50mm至150mm
- 高质量，无裂纹层，具有良好的厚度均匀性的外层
- 客户定制的源的配置，为不同的应用进行三族氮化物材料生长
操作优点：
- 大气压反应-无真空设施要求
- 低廉的运营成本-没有昂贵的金属有机源
- 减少停机时间-容易更换生长线以抑制寄生沉积
- 清洁和可制的环境- N2吹扫手套箱以减少晶片和源的颗粒污染
- 高效的服务支持-致力于全球服务的支持团队，快速反馈
处理软件控制：
- 前端显示关键工艺参数
- 工艺程序编写、储存和调用都通过同一软件，建立一个数据库
- 密码控制用户登录，允许不同级别的用户访问
- 连续数据记录系统，确保监测每个晶片和程序
灵活的外延生长的要求下的多模式操作：
• 单次一步到另一步'的晶片传送，使用屏幕上的软件控制
• 使用预先编好的程序进行全系统自动化外延生长运行
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生长速率 |
高达200微米/小时 |
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压强 |
大气压 |
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最高炉温度 |
1200 ° |
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载气 |
或惰性气体氩 |
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反应气 |
和NH 3 |
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晶片尺寸 |
一次最大外延量 |
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50mm |
12 |
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75mm |
4 |
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100mm |
3 |
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150mm |
1 |
全球服务和支持
我们可以提供：
- 量身定制工的艺和服务协议，以满足您的需求
- 全方位的培训课程
- 快速获取原装备件和配件
- 系统升级和翻修
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服务中心 |
零件中心 |
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欧洲和中东 Montevrain,法国 美国 Arizona, 美国 |
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