Compound Semiconductor Templates - TDI

蓝宝石衬底上的GaN晶片

GaN晶片可以用作采用MBE、MOCVD和CVD技术外延III-V族氮化物时的衬底。 

可提供如下蓝宝石上外延的GaN材料：

• 非掺杂GaN
• n-GaN，掺杂Si
• p-GaN，掺杂Mg
• i-GaN，高阻，掺Zn
• r-plane蓝宝石上外延的a-plane GaN

应用

• GaN同质外延及器件制作的理想衬底
• 高质量的GaN材料，可用于商品生产、产品研发及基础研究
• GaN基蓝光、绿光、白光、紫外LEDs的新型衬底
• 作为采用MBE、MOCVD和CVD技术外延III-V族氮化物时的衬底
• 厚的GaN外延层，在制作HBLED时可采用激光剥离衬底技术

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SiC上的GaN晶片

• GaN晶片可作为采用MBE、MOCVD和CVD技术外延III-V族氮化物时的衬底
  无缓冲层（buffer）
• GaN同质外延及器件制作的理想衬底

技术

供应两种晶片

1. 标准级，可用区域>90%
2. 研究级，可用区域>80%

研究级价格较低

使用AlN晶片的优点

• 直接在原位AlN上生长
• 简化成核（nucleation）过程（无需buffer）
• 降低器件中的缺陷密度
• 改善器件参数
• 提高现有设备的外延生产率
• 通过产量和收益的提高降低成本
• 减少维护费用
• 避免有关buffer的专利纠纷

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SiC衬底上的无裂纹厚AlN晶片

应用：作为半绝缘衬底应用于：

• 功率型AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）
• 功率型蓝光/紫外LED和激光器

特点

• 高电阻及高热导率
• 与GaN、AlGaN晶格匹配和热匹配
• 器件低缺陷密度
• AlN层厚度可确保绝缘及低漏电流密度
• 价格远在半绝缘SiC衬底之下
• 大幅度降低HEMT成本

供应两种晶片

1. 标准级，可用区域>90%
2. 研究级，可用区域>80%

研究级价格较低

使用AlGaN晶片的优点

• 直接在原位AlGaN上生长
• 简化成核（nucleation）过程（无需buffer）
• 降低器件中的缺陷密度
• 改善器件参数
• 提高现有设备的外延率
• 通过产量和收益的提高降低成本
• 减少维护费用
• 避免有关buffer的专利纠纷

氮化铟外延材料

TDI宣布试制成功了InN晶片，InN外延层在GaN/蓝宝石上生长

应用于传感器和高频器件的InN外延层

    

InN/GaN/Sapphire 截面示意图

TDI宣布试制成功了InN晶片，InN外延层在GaN/蓝宝石上生长。

我们将非常高兴的满足您对InN的需要，同时高度重视您对InN材料特性需求的反馈意见。

                                                     材料参数

                 

参数	值
InN典型厚度, 微米	0.1-0.5
原始衬底	C-plane 蓝宝石
直径, 英寸	2
InN表面	As grown
InN导电类型	N型
Nd-Na浓度, cm-3	>5E18
典型电子迁移率, cm2/V sec	10-120
FWHM of x-ray RC omega-scan (00.2), arcsec	<900
光学带宽*, eV	~1.8
n-GaN 厚度, 微米	>3

                                       *通过CL和透射-反射测量得出

                                            

2英寸 InN晶片 X-ray 衍射图 (FWHM of omega-scan (00.2) 摇摆曲线)

 

 InN的 (00.2) 面（图(a)）和 (10.2) （图(b)）的XRD omega-scan 摇摆曲线

 

蓝宝石上的InN/GaN XRD 图, Ω 20 scan 

 

InN 组分 (x)	FWHM of ω scan X-ray (00.2) 摇摆曲线,arc sec	厚度, 微米
0.05-0.2	<900	0.02-0.5

如需要 蓝宝石上GaN外延层参数请下载我们的数据表

(a)	(b)

 GaN/蓝宝石上外延的InGaN层的X-Ray 衍射图 (a) and ω-scan摇摆曲线 (b)