RIE（反应离子刻蚀）

主要特点

1. 气体通过顶电极的喷淋头式进气口被注入到反应室
2. 底电极上形成了负的自偏压
3. 单个的射频等离子体元决定了离子密度和能量
4. 衬底通常被放置在石英或石墨盖板上，以避免电极材料的溅射/二次沉积
5. 工作压强5-500毫托

RIE优点：

1. 解决一般性的等离子体刻蚀的经济方案
2. 简单的操作
3. 刻蚀工艺的多种选择：
   - 化学刻蚀--各向同性，速率快
   -离子诱导刻蚀--各向异性，速率中等
   -物理刻蚀--各向异性，速率慢
4. 在半导体剥层分析和失效分析中广泛的应用
5. 可以刻蚀广泛的材料，包括：
   -电介质材料（二氧化硅，氮化硅，等）
   - 硅基材料（硅、非晶硅、多晶硅）
   - III-V材料（GaAs，InP，GaN，等）
   - 溅射的金属（Au、Pt、Ti、Ta、W、等）
   - 类金刚石膜

牛津仪器的反应离子刻蚀工具：

 

Feature	System80Plus	System800Plus	System100	System133
电极尺寸	240mm	460mm	240mm	330mm
进样	开放进样	开放进样	真空进样	真空进样
衬底	见产品手册	见产品手册	200mm，可以选择多片或小片的载片台	300mm，可以选择多片或小片的载片台
质量流量计控制的气体管线	可使用8或12根管线	可使用8或12根管线	可使用8或12根管线	可使用8或12根管线
载片台温度范围	10-80C°	10-80C°	-20 oC到80oC	-20 oC到80oC
氦气背面冷却配件	有	无	有	无
ICP配件	有	无	无	无
聚焦的等离子体	可以	可以	不能	不能

 

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