ICP刻蚀——感应耦合等离子体刻蚀

ICP 感应耦合等离子体反应室示意图

感应耦合等离子体（ICP）相关产品

System 80Plus      System100

主要特点：

• 分开的感应耦合等离子体的射频发生器和电极的射频发生器提供了对离子能量和离子密度的分别控制
• 高传导率的气泵端口为最快的刻蚀速率提供高的气量
• 静电屏消除了电容耦合，减小了对器件的电损伤，减少了反应室的颗粒
• 牛津仪器的ICP工具包括标配的晶片夹具和氦气冷却，在一个广泛、可选的温度范围内提供优异的温度控制

ICP优点：

• 通过高的离子密度（>1011 cm3）和高的基团密度可以获得高的刻蚀速率
• 通过低的离子能量能够获得对选择比和损伤的控制
• 对感应耦合等离子体和电极射频的分别控制提供了高的工艺灵活性
• 化学的和离子诱导的刻蚀
• 为了某些低刻蚀速率的应用，也可以以感应离子刻蚀的模式运行
• 可以用于以感应耦合等离子体-化学气相沉积模式进行沉积，提供：
  - 比等离子体增强化学气相沉积的温度低的条件下沉积致密的薄膜
  - 在温度敏感的衬底上进行低损伤的沉积