PECVD-等离子体增强化学气相沉积
PECVD反应室示意图
等离子体化学气相沉积（PECVD）
Key features 主要特点
- 射频驱动（兆赫兹和/或千赫兹）的顶电极；底（衬底）电极上没有射频偏压
- 衬底直接置于加热电极上
- 气体通过顶电极上的喷淋头式进气口进入反应室
- 工作压强0.5-1.0托
- 功率密度0.02-0.1Wcm-2
Benefits 优点
- 和传统的化学气相沉积相比工艺温度更低
- 通过高/低频混合技术可以控制薄膜应力
- 具有结束点控制的等离子体干法清洗工艺减少或杜绝了物理/化学清洗反应室的需要
- 通过工艺条件来控制化学计量
- 提供广泛的材料沉积，包括：氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的沉积，它们广泛应用于光子结构、钝化、硬膜等。
- 非晶硅（a-Si：H）
- 具有保形台阶覆盖或无空隙良好台阶覆盖的正硅酸乙酯二氧化硅
- SiC 碳化硅
- 类金刚石膜
牛津仪器的PECVD工具
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特征 |
Plasmalab System80Plus |
Plasmalab System800Plus |
Plasmalab System100 |
Plasmalab System133 |
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电极尺寸 |
240mm |
460mm |
240mm |
330mm |
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进样方式 |
开放进样 |
开放进样 |
真空进样 |
真空进样 |
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衬底 |
见产品手册 |
见产品手册 |
8英寸，可以选择多片或小片的载片台 |
12英寸，可以选择多片或小片的载片台 |
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掺杂剂 |
不行 |
不行 |
包括PH3，B2H6和GeH4在内的多种掺杂剂 |
包括PH3，B2H6和GeH4在内的多种掺杂剂 |
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液体源 |
不行 |
不行 |
可以，正硅酸乙酯 |
可以，正硅酸乙酯 |
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质量流量计控制的气体管线 |
可使用8或12根管线 |
可使用8或12根管线 |
可使用8或12根管线 |
可使用8或12根管线 |
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用于应力控制的射频转换开关 |
可以 |
可以 |
可以 |
可以 |
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载片台温度范围 |
20°C 到400°C |
20°C 到400°C |
标准的是20°C 到400°C，可选最高到800°C |
标准的是20°C 到400°C，可选最高到700°C |
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在位等离子体清洗 |
可以 |
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可以，结束点可控以获得最佳清洗时间 |
可以，结束点可控以获得最佳清洗时间 |
