ICP CVD——感应耦合等离子体-化学气相沉积
ICP CVD示意图
牛津仪器的ICP CVD工具
感应耦合等离子体-化学气相沉积(ICP-CVD)
主要特点
1. 离子能量和离子电流密度分别控制
2. 典型的工艺压强：1-10 毫托
3. 等离子体密度：大约5×1011/cm2
4. 等离子体和衬底相接触
5. 沉积过程中离子电流的能量低
6. 离子电流（等离子体密度）取决于ICP的功率
7. ESS（静电屏蔽）功能做到真正的感应耦合
典型应用:
1. 面向剥离技术的低温沉积
2. 低温沉积超高质量二氧化硅
3. 低温沉积多晶硅
4. ICP是完全自动匹配（2个射频自动匹配单元）
牛津仪器的ICP CVD工具
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特征 |
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ICP65 |
ICPCVD180 |
ICPCVD380 |
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电极尺寸 |
240mm |
240mm |
Up to 330mm |
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进样 |
开放进样 |
真空进样 |
真空进样 |
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衬底 |
50mm wafers 2英寸晶片 |
6英寸，可以选择多片或小片的载片台 |
8英寸，可以选择多片或小片的载片台 |
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掺杂剂 |
不行 |
包括PH3，B2H6和GeH4在内的多种掺杂剂 |
包括PH3，B2H6和GeH4在内的多种掺杂剂 |
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液体源 |
不行 |
不行 |
不行 |
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质量流量计控制的气体管线 |
可使用8或12根管线 |
可使用8或12根管线 |
可使用8或12根管线 |
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载片台的温度范围 |
20°C到 400°C |
0°C 到 400°C |
0°C 到400°C |
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在位等离子体清洗 |
可以 |
可以 |
可以 |
