外延生长氮化铝作为III-V族氮化物的外延生长衬底

衬底

 4H-SiC或6H-SiC

衬底晶面

 (0001)晶向上的Si面－具有导电性

衬底直径

2", 3" 和4"

AlN厚度范围

0.2 到20µm

特性

数值

AlN厚度

 10µm

厚度变化

<4% 标准差

厚度均匀性

<2% 标准差

位错密度(cm²)

5 到9 x 10⁸

X射线的半高宽（FWHM，w-scan (00.2), 角秒）

<450

表面形态

生长或经过抛光的As (粗糙度的典型RMS <0.5nm)

掺杂情况

无掺杂

电阻率(W-cm)

>10¹⁰(@300k)及>10⁷(@500k)