在蓝宝石衬底上外延生长氮化铝镓（AlGaN）的技术
蓝宝石衬底上的氮化铝镓
紫外光电子器件的优异衬底
蓝宝石上外延生长氮化铝镓作为衬底
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蓝宝石衬底尺寸 |
2”和3” (见注释) |
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Al 含量(摩尔比，mol %) |
5% 到85% |
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AlGaN膜厚范围 |
0.2到0.8 mm |
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导电性 |
n-型(含量小于35%时) |
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表面形态 |
As生长 |
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透光性 |
对紫外光透明(依赖于Al的含量) |
注释：根据需要可以使用4英寸的蓝宝石基底。
- 优势
- 图片
使用氮化铝镓作为衬底的优势：
- 是紫外光电子器件非常好的衬底材料
- 因为有原生的氮化铝镓表面，所以成核工艺非常简单
- 可以减少器件结构的缺陷密度，增强器件的性能
- 提升了生产效率并减少了现有设备的维护成本
- 通过大规模生产可以降低外延生长的成本
- 可以规避和缓冲层等有关的专利争议
图为几种基底的透射谱线，基底材料分别为氢化物气相外延（HVPE）生长的AlGaN, GaN 和AlN
3英寸的蓝宝石基底上生长的AlGaN衬底
