µEtch300 - 300mm 晶片失效分析功能工具
µEtch300
用于失效剥层分析的双模式RIE/PE 300mm晶片刻蚀工具
通过在一套紧凑型系统中提供双模式RIE和PE干法刻蚀剥层分析，Plasmalab µEtch300是为300mm晶片失效分析精选的工艺工具，可执行多种失效分析步骤：
- 聚酰亚胺的去除（RIE模式）
- 钝化层的去除（PE模式）
- 金属间介质，包括低k值氧化物的刻蚀（RIE模式）
- 装饰/描绘轮廓
- 主要优点
- RIE-PE
- RIE
- 工艺工具软件
- 每次工艺之间优异的可重复性
- 在逐层去除步骤中可以使用激光干涉仪进行结束点探测
- 可以编写使用激光结束点探测的多步骤运行程序，来提供一个完全自动控制刻蚀速率、均匀性、选择比和外形的失效分析能力
- 也可以作为一个双反应室工具为最敏感的失效分析应用提供专门的工艺反应室
- 在300mm晶片范围内优异的均匀性
想了解更多关于RIE-PE工艺技术的信息，请点击右手边的链接
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我们和客户紧密工作在一起，根据他们的应用需要发展新型的、用户定制的工艺。想了解详细情况，请和我们联系
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牛津仪器的PC2000TM软件是清楚明确，易于使用，便于快速学习，按照客户的系统精确配置。其采用可视化界面来控制和监测工艺工具，并提供从单一界面和电脑控制工具组的能力。
通过同样的软件，可以撰写、储存和回顾工艺运行程序，使其成为工艺数据库的一部分。在盒间装卸式系统和集群系统中，用户可以联合每片待处理晶片的运行程序，来执行一套完整的包括顺序、循环和重复在内的工序。
密码控制用户登录允许不同级别的用户访问和工作，从'一键式'运行操作到整个系统的功能。持续不断的工艺数据记录确保每个晶片和工艺的可追溯性。
