µEtch ICP - ICP 失效分析工具
Plasmalab µEtchICP可以以ICP模式或RIE模式为不同尺寸的管芯和封装过的器件提供灵活的工艺
上端去除工艺:
• 去除:
- 各向同性的聚酰亚胺
-各向同性的氮化物
-各向异性的氧化物（金属间介质/层间介质）
-低k值氧化物
• 揭露至少6层金属层而不分层
• 隔离层去除的选择性控制
• Poly-Si etch 刻蚀多晶硅
• 失效分析装饰或描绘轮廓
下端去除工艺:
• 快速去除Si体材料，然后停止在掩埋氧化物层
• 去除掩埋氧化物层，然后停止在薄的Si有源区层
• 薄的Si有源区层去除
失效剥层分析的结束点
在逐层去除步骤中可以使用激光干涉仪进行结束点探测
可以编写使用激光结束点探测的多步骤运行程序，来提供一个完全自动控制刻蚀速率、均匀性、选择比和外形的失效分析能力
- ICP
- 工艺工具软件
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我们和客户紧密工作在一起，根据他们的应用需要发展新型的、用户定制的工艺。想了解详细情况，请和我们联系
牛津仪器的PC2000TM软件是清楚明确，易于使用，便于快速学习，按照客户的系统精确配置。其采用可视化界面来控制和监测工艺工具，并提供从单一界面和电脑控制工具组的能力。
通过同样的软件，可以撰写、储存和回顾工艺运行程序，使其成为工艺数据库的一部分。在盒间装卸式系统和集群系统中，用户可以联合每片待处理晶片的运行程序，来执行一套完整的包括顺序、循环和重复在内的工序。
密码控制用户登录允许不同级别的用户访问和工作，从'一键式'运行操作到整个系统的功能。持续不断的工艺数据记录确保每个晶片和工艺的可追溯性。
