硅化钨（WSi）刻蚀技术

硅化钨刻蚀

• ICP 65适用于2"晶片
• ICP 180适用于100mm晶片
• ICP 380 适用于200mm晶片
• 各个系统都适用于处理小尺寸的晶片
• 基于RIE的ICP刻蚀以及晶片电极可以对温度进行调节
• 使用氟气

结果

• 刻蚀深度：>1µm
• 刻蚀速率：>200nm/ min
• 均匀性(100mm晶片): <±5%
• 对光刻胶的刻蚀选择性：>1:1
• 侧壁倾角：>88º