结果:
• 速率：50-200 纳米/分钟• 均匀性：小于+/- 3 %• 通过调节氧气和温度可以控制侧壁倾角• 对铬掩模的选择比大于20：1• 对光刻胶掩模的选择比大约5：1• 对二氧化硅掩模的的选择比为10：1
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