钛（Ti）深刻蚀技术

ICP源

•ICP 65可以处理2"晶片
•ICP 180可以处理100mm晶片
•ICP 380 可以处理200mm 晶片
•各个系统都适用于处理小尺寸的晶片
•基于RIE的ICP刻蚀以及晶片电极可以对温度进行调节
• 使用氯气

结果
深度：>22µm
刻蚀速率：>200nm/min
均匀性(100mm晶片)： <±5%
对聚酰亚胺光刻胶的刻蚀选择性>1:1
侧壁倾角：>87º