Ta2O5 刻蚀——五氧化二钽刻蚀

电感耦合等离子体源

•  ICP 65适合最大2英寸的晶圆
•  ICP 180适合最大100mm的晶圆
•  ICP 380适合最大200mm的晶圆
•  更小尺寸的晶圆可适用于以上各种系统
•  ICP刻蚀使用了反应离子束刻蚀（RIE）中的偏压和温控晶圆电极
•  使用含氟气体的处理工艺

 使用ZEP520掩模在Ta2O5上刻蚀得到

  的光子晶体孔洞结构

结果

电介质

Ta2O5刻蚀——五氧化二钽刻蚀

GST刻蚀——锗锑碲化物刻蚀

     Ta2O5 Etch with Cr mask

      Ta2O5 Etch with PR mask