绝缘材料上的硅的多步刻蚀（ Bosch）技术

• ICP 65适用于2"晶片
• ICP 180适用于100mm晶片
• ICP 380 适用于200mm晶片
• 各个系统都适用于处理小尺寸的晶片
• 基于RIE的ICP刻蚀以及晶片电极可以对温度进行调节
• 使用氟气(Bosch)

结果：

• 刻蚀速率：> 2.5 µm/min
• 刻蚀选择比：> 75:1（对光刻胶）
• 刻蚀选择比：> 150:1（对SiO2）
• 均匀性：< ±5%
• 重复性：< ±3% (不同批次)
• 侧壁倾角控制：90° ± 1°
• 纵深比：可达30:1
• 10µm宽的刻蚀凹槽每边的刻痕小于0.5µm。