绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀

绝缘层上的硅(SOI)的ICP刻蚀技术

标准工艺规范

使用PlasmaPro System100-ICP 180及ICP380对绝缘层上的硅进行多层刻蚀

晶圆尺寸

ICP180

100mm

晶圆尺寸

ICP380

最大200mm

刻蚀速率

大于2 µm/min

使用多层刻蚀Bosch法对100µm厚的SOI

进行刻蚀得到的典型结构

特征

工艺特征

这种工艺方法可以对硅晶圆进行高纵横比的各向异性刻蚀，刻蚀深度从5µm到穿透硅片都可以。特别设计的硬件设施，可以实现对SOI进行非接触控制。

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