刻蚀SiGe——刻蚀锗硅

刻蚀SiGe——刻蚀锗硅
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

• 对一个Si/SiGe/Si异质结构的各项异性的刻蚀
• 速率大约100纳米/分钟
• 0.5微米深
• 光刻胶掩模已去除
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