刻蚀SiC—刻蚀碳化硅

反应离子刻蚀200纳米SiC

碳化硅的性质包括宽禁带，高导热率，大的击穿场强，高饱和电子漂移速度以及能够承受极端恶劣的环境变化，这使它成为制作电子器件和微机电系统的一个很好的选择。 不同品质等级的碳化硅都表现出强大的化学键强度以致需要高离子束流来打断。

蚀刻碳化硅使用的典型的化学气体是CF4 ， SF6，或者是通常混入氩气或氧气的氯气。

• 速率：近似100纳米/分钟
• 均匀性：4英寸晶片内公差<= ± 3.5 %
• 对光刻胶的选择比1：1
• 各项异性刻蚀

• ICP
• RIE

使用PlasmaPro System100 ICP180进行金属掩模的块状晶体碳化硅刻蚀技术  刻蚀气体：SF6, O2 等离子体清洁气体：O2 晶片最大直径100mm 工艺特点： 可以为各向异性的SiC生成光滑的侧壁高度超过10µm。 该种工艺是洁净的，因此清洁周期可以非常长。   刻蚀速率 > 300nm/min 均匀性 晶片内部 < +/- 5% (100mm晶片7mm剔除区)

使用ICP刻蚀工艺对带金属掩模的SiC刻蚀得到的结构

使用PlasmaPro System133 RIE 刻蚀SiC的技术

• 推荐刻蚀气体：NF3-N2O-Ar
• 推荐等离子体清洁气体：O2
• 批处理数量可达20 x 2", 5 x 100mm

 

刻蚀速率	> 100nm/min
均匀性
晶片内部	< +/- 3% (边缘剔除，2 inch - 5mm, 100mm - 7mm)
不同晶片间	< +/- 5%