混合刻蚀Si—八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅

各向异性刻蚀5微米深

• 氦气背面冷却
• 室温工艺
• 单步工艺

结果

• 速率：0.5微米/分钟
• 均匀性：4英寸晶片内公差小于+ 1%
• 垂直侧壁
• 光滑的表面
• 对光刻胶的选择比大于8：1
• 对二氧化硅的选择比大于20：1