各向同性刻蚀Si—硅的各向同性刻蚀

刻蚀75微米深

• 对二氧化硅具有高选择比
• 工艺气体：SF6/O2
• 垂直深度：20微米
• 横向侧蚀：每侧50微米
• Si的横向刻蚀速率1.8微米/分钟 （2厘米×3厘米芯片）
• 选择比：Si：SiO2大于650：1
• 采用ICP65的结果