•刻蚀直径0.75微米的孔到底• 刻蚀停止在SiO2层• 刻蚀速率50-100 纳米/分钟• 均匀性：6英寸晶片内公差+/- 4 %• 各向异性的外形• 基于溴化氢的工艺• 刻蚀深度最大到10微米，纵横比5：1
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