• 简单的工艺变化即可控制大范围的侧壁倾角（80到92度）
• 整个晶片上都可以获得高纵横比的深度刻蚀
• 光滑的侧壁（没有博施刻蚀那样的扇形褶皱粗糙化）
• 高速率（最高达5微米/分钟）
• 良好的均匀性（200mm直径晶片内的公差<±3 %）
• 对光刻胶（100：1）和二氧化硅掩模（200：1）都有很高的选择比
• 简单和极其干净的等离子体气体：SF6和O2（无碳氟化合物）

- 几乎不用清洗反应室

硅上的纳尺度刻蚀：低温刻蚀的优势

• 简单的工艺变化即可控制大范围的侧壁倾角（80到92度）
• 对于纳尺度刻蚀具有高的纵横比
• 小于50纳米的线条和空隙具有很好的形貌
• 光滑的侧壁（没有博施刻蚀那样的扇形褶皱粗糙化）
• 可以获得无V型刻痕的刻蚀
• 良好的速率（最高0.5微米/分钟）
• 良好的均匀性（200mm直径晶片内的公差<±3 %）
• 对光刻胶（10：1）和二氧化硅掩模（20：1）都有很高的选择比
• 简单和极其干净的等离子体气体：SF6和O2（无碳氟化合物）

-几乎不用清洗反应室

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