博施结果：
速率：最高达10微米/分钟
均匀性：4英寸晶片内公差小于+/- 2 %、6英寸晶片内公差小于+/- 3 %
• 各向异性刻蚀• 纵横比最高达30：1• 侧壁倾角可控• 对光刻胶（大于75：1）和对SiO2（大于150：1）有高选择比
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