在反应离子刻蚀或感应耦合等离子体系统中溅射刻蚀Pt—溅射刻蚀铂
- 等离子体
- 离子束
Pt >10 nm/ min (使用Ar溅射刻蚀的反应离子束刻蚀)
Pt >50 nm/ min (使用Ar溅射刻蚀的电感耦合等离子体刻蚀)
- 光学掩模的选择性1:1（RIE）
- RIE的均匀性(12片晶圆批处理) < +/- 7 %
- RIE或ICP 的均匀性
- (单个晶圆4英寸或 6英寸) < +/- 4 /5 %
对某些（要求较低的）应用，离子束系统中的平行板式反应器("RIE”)是一个很好的选择，可以得到更好的吞吐量成本比。
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120 nm的铂金刻蚀(以及400 nm的锆钛酸铅PZT反应离子束刻蚀), 光学掩模完好 提高反应温度可以增加刻蚀速率： Ar/Cl2 ICP刻蚀 |
二氧化硅掩模下铂金的刻蚀速率和选择性
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铂金（Pt）离子束刻蚀 (IBE)
工艺规范
- 使用Ionfab300Plus (大反应腔) 进行铂金离子束刻蚀
- 处理气体：Ar
- 处理的晶圆直径最大为200mm
- 详细请见英文网站
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铂金的刻蚀深度为2 µm（保留有光学掩模） |
Ionfab 300Plus |
