刻蚀PR—刻蚀光刻胶

刻蚀PR—刻蚀光刻胶
一个多层光刻胶系统用来定义半导体衬底上非常小的形貌

感应耦合等离子体反应离子刻蚀10微米深

• 刻蚀速率大于200纳米/分钟

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