刻蚀聚酰亚胺—聚酰亚胺的刻蚀
扫描电镜图片
使用PlasmaProTM System100 ICP380 和PlasmaPro System100 ICP380刻蚀聚酰亚胺的技术
|
刻蚀气体 |
O2, N2 |
|
等离子体清洁气体 |
O2, SF6 |
|
晶片尺寸 |
· ICP380: 最大200mm晶片 · ICP180: 最大100mm晶片 |
|
刻蚀速率 |
>1µm/min |
|
均匀性 |
< ± 5% (7mm剔除边缘) |
|
重复性 |
< ± 3 % (不同批次) |
工艺特点
- 该工艺可以对聚酰亚胺进行各向异性刻蚀得到光滑的侧壁，刻蚀深度可以从100nm到50µm以上。
- 该工艺对样品几乎无污染，所以清洁周期可以很长。
- 可以使用激光干涉仪对深度进行自动控制，精度达到±0.25µm。
- 失效分析
使用PlasmaPro System133 ICP380对聚酰亚胺进行刻蚀在失效分析上的应用技术
- 推荐使用的刻蚀气体：CF4, O2, N2
- 推荐使用的等离子体清洁气体：SF6, O2
- 晶片最大直径300mm
- 双层薄膜，底层是氮化物。
|
聚酰亚胺刻蚀速率 |
>800nm/min (平均) |
|
均匀性 |
|
|
晶片内部 |
< ± 6%（只对第一层，剔除边缘7mm） |
|
不同批次 |
< ± 6% |
|
对SiNx的刻蚀选择比 |
>5:1 |
工艺特点：
- ICP工具的可伸缩性同时为各向同性或各向异性刻蚀提供可能。
- 可以高效地去除大部分材质，无需其他工艺去除金属残留。
- 优异的工艺重复性
