聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蚀

电感耦合等离子体源

•  ICP 65适用于最大为2英寸的晶圆
•  ICP 180适用于最大为100mm的晶圆
•  ICP 380适用于最大为200mm的晶圆
•  更小尺寸的晶圆均以适用于以上设备进行刻蚀
•  ICP刻蚀使用了反应离子束刻蚀（RIE）中的偏压和温控晶圆电极
•  使用含氟气体的处理工艺

        PDMS的刻蚀深度为90µm

 侧壁为92°(污染物为切割用样品时引入的)