刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅

刻蚀0.7微米深硒化铅，光刻胶已去除

技术:

• 平行板构造
• 反应离子刻蚀（RIE）
• 13兆赫兹等离子体激励

结果:

• 速率：50-100纳米/分钟
• 掩模：光刻胶
• 均匀性：75mm直径片内公差+/ - 5%
• 选择比：2-5：1
• 外形：各向异性、轻微的粗糙