镍（Ni）的离子束刻蚀

镍（Ni）的离子束刻蚀
0.3 µm深的Ni刻蚀，掩模仍然保留
技术：
  • 离子束刻蚀（IBE）
  • 15 cm 射频（RF）离子源处理4"晶片
  • 30cm 射频（RF）离子源处理6", 8"晶片
  • 无灯丝PBN
  • 背面氦气冷却法
  • 带有光刻胶的Ni刻蚀速率40 nm/ min
  • 均匀性：+/- 4 %
  • 侧壁倾角85°
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