离子束刻蚀Ni—刻蚀镍铬合金

刻蚀0.3微米深镍，光刻胶未去除

技术:

•  离子束刻蚀IBE
• 15厘米射频离子源适用于4英寸晶片
• 30cm射频离子源适用于6英寸和8英寸晶片
• 无PBN细丝
• 氦气背面冷却
• 采用光刻胶作掩模时镍的刻蚀速率大约40纳米/分钟
• 均匀性：公差+/- 4 %
• 侧壁角85度