刻蚀Ni—刻蚀镍

感应耦合等离子源

•  ICP65适用于最大2英寸晶片
•  ICP 180适用于最大直径100mm晶片
•  ICP 380适用于最大直径200mm晶片
•  每套系统也都可以刻蚀更小尺寸的晶片
•  采用加偏压的反应离子刻蚀和温度可控的晶片电极进行感应耦合等离子  体刻蚀
•  基于氩气溅射的工艺

Redeposition-free ICP Nickel Etch

       0.5微米深，光刻胶已去除

结果:

深度： 大于0.5微米

刻蚀速率：大于30微米/分钟

均匀性：100mm直径晶片范围内公差小于±5%

对光刻胶掩模的选择比大于0.3：1

侧面角大于70度

可以避免二次沉积

OPT application lab:1.4 µm Ni etch

(PR Mask intact)

镍(Ni)离子束刻蚀(IBE)

工艺规范

•  使用Ionfab300Plus (LC)进行镍离子束刻蚀
•  处理气体：Ar
•  晶圆尺寸最大200mm
•  详细请见英文网站

         镍层刻蚀深度为0.3µm

            保留有光学掩模