• 采用光刻胶作掩模，刻蚀速率150纳米/分钟• 对它下面的二氧化硅层的选择比大于10：1• 各向异性的外形• 100mm直径范围内均匀性公差+/- 3 %RIE 反应离子刻蚀
• 采用光刻胶作掩模，氦气冷却，刻蚀速率70纳米/分钟• 对光刻胶掩模的选择比是1.1：1• 对于它下面的二氧化硅层的选择比是2.2：1• 各项异性的外形• 100mm直径范围内均匀性公差+/- 3 %
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