干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂

刻蚀3.4微米深钽酸锂（光刻胶做掩模）

• 压电器件和表面声波
• 基于F的工艺
• 刻蚀速率大于25纳米/分钟
• 对铬掩模的选择比大于5：1，对光刻胶的选择比大于0.5：1
• 均匀性：2英寸晶片内公差小于± 4%
• 侧面60-70度

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