刻蚀InSb—刻蚀锑化铟
掺杂的InSb刻蚀（0.4 µm/ min）对SiO2的刻蚀选择比大于 5 : 1
使用PlasmaProTMSystem100 ICP180对InSb-InSbAs进行刻蚀的技术
- 推荐刻蚀气体：HBr, Ar, H2, Cl2
- 推荐等离子体清洁气体：O2, SF6
- 最大晶片直径100mm
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刻蚀速率 |
> 500nm/min |
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均匀性 |
< ± 5 % (晶片最大直径100mm, 7mm 剔除区) |
- 扫描电镜照片
典型的InSb/InSbAs结构刻蚀，氧化物作为掩模
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