刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷

各向异性刻蚀10微米深的InP/ InGaAsP/ InP异质结构

• 基于氯气的工艺：氯气、甲烷、氢气、氩气
• 速率大于1.5微米/分钟
• 对二氧化硅或氮化硅掩模的选择比大于15：1
• 均匀性50mm直径范围内公差小于+/- 4 %
• 优异的外形控制

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