刻蚀InP—刻蚀磷化铟

• 工艺气体：甲烷/氢气
• 刻蚀速率：50-100 纳米/分钟
• 加入氯气可获得更高的速率
• 掩模：光刻胶或二氧化硅
• 纵横比大于5：1

• 基于氯气的工艺
• 刻蚀速率：50纳米/分钟至1.5微米/分钟
• 低离子能量产生低损伤
• 对二氧化硅的选择比10-25:1
• 对光刻胶的选择比可大于500：1

• 基于氯气和甲烷/氢气的工艺
• 刻蚀速率：最高科到300纳米/分钟
• 侧壁倾斜角可调
• 掩模：光刻胶或二氧化硅
• 采用射频源可进行化学辅助离子束刻蚀和反应离子束刻蚀