结果
• 速率：0.3-0.8 微米/分钟• 对于GaP/InGaAlP/GaAs最高达2微米/分钟，取决于多层的组分对• 对二氧化硅掩模的选择比大于是10：1• 良好的均匀性• 完全各向异性的刻蚀• 光滑的侧壁
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