刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝
| RIE 反应离子刻蚀
• 工艺气体：甲烷/氢气
• 刻蚀速率：50-100 纳米/分钟 • 加入氯气可获得更高的速率 • 掩模：光刻胶或二氧化硅 • 纵横比大于5：1
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| 反应离子刻蚀InP: 0.2微米宽，用于分布反馈激光器 | |
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ICP RIE 感应耦合等离子体反应离子刻蚀 • 基于氯气的工艺
• 刻蚀速率：50纳米/分钟至1.5微米/分钟 • 低离子能量产生低损伤 • 对二氧化硅的选择比10-25:1 • 对光刻胶的选择比可大于500：1 |
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| 感应耦合等离子体各向异性刻蚀InP | |
| RIBE/ CAIBE 反应离子束刻蚀/化学辅助离子束刻蚀
• 基于氯气和甲烷/氢气的工艺 |
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| 反应离子束各向异性刻蚀 |
