GST刻蚀——锗锑碲化物ICP刻蚀

电感耦合等离子体源

• ICP 65 可以处理最大2"的晶片
• ICP 180可以处理最大100mm的晶片
• ICP 380可以处理最大200mm的晶片
• 各个系统都适用于处理小尺寸的晶片
• 基于RIE的ICP刻蚀以及晶片电极可以对温度进行调节
• 使用氯气工艺
• GST（Ge2Sb2Te5）是一种相移记忆材料

结果：

• 刻蚀速率：150nm/min
• 光刻胶掩模刻蚀选择比：>2:1
• 对SiO2刻蚀选择比：>3:1
• 均匀性：<±5%（200mm晶片）
• 侧面：各向异性

     GST深度为0.2µm侧壁为74°

     使用了大角度的光学掩模（PR）

 （污染物是在切割分析用样品时引入的）